全球芯片市場愈發(fā)火爆。

　　據(jù)美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(SIA)的最新數(shù)據(jù)，10月全球半導(dǎo)體銷售額同比激增33%，總額達713億美元(約合人民幣5040億元)，其中DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)銷售額同比飆升90%。分析認為，這背后的最大助推力是，人工智能(AI)推動需求激增，大量行業(yè)產(chǎn)能轉(zhuǎn)向用于AI加速器的高帶寬內(nèi)存(HBM)，導(dǎo)致用于標準DRAM和3D NAND的晶圓產(chǎn)出減少。

　　當前全球AI基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)熱潮正在造成存儲芯片等關(guān)鍵投入品短缺，或?qū)⑼苿?026年DRAM均價持續(xù)上漲。Counterpoint Research預(yù)計，先進和傳統(tǒng)存儲芯片價格將在2026年初可能再漲20%。

　　賣爆

　　富國銀行(Wells Fargo)援引SIA的最新數(shù)據(jù)稱，2025年10月全球半導(dǎo)體銷售額同比激增33%，總額達713億美元。

　　其中，全球DRAM的銷售額同比飆升90%，達到128.2億美元(約合人民幣906億元)，是全球半導(dǎo)體銷售增長的最大驅(qū)動力。DRAM主要生產(chǎn)商包括美光科技、三星電子和SK海力士。另外，NAND閃存銷售額同比增長13%，總額為51.3億美元。其他數(shù)據(jù)還顯示：

　　10月微處理器(MPU)銷售額達59.8億美元，同比增長16%。然而，盡管銷售額有所增長，但MPU的總出貨量同比下降了4%；

　　模擬芯片表現(xiàn)更為強勁，銷售額同比增長18%至79.3億美元，出貨量同比增長11%；

　　微控制器(MCU)銷售額同比增長18%，達到18.8億美元，出貨量同比增長21%;

　　 MOSFET功率器件銷售額同比增長19%，達到10.2億美元。

　　這些數(shù)據(jù)背后的最大助推力是，AI推動需求激增，但產(chǎn)能卻跟不上。

　　分析人士指出，當前大量行業(yè)產(chǎn)能正轉(zhuǎn)向用于AI加速器的高帶寬內(nèi)存(HBM)，導(dǎo)致用于標準DRAM和3D NAND的晶圓產(chǎn)出減少。由于建設(shè)新產(chǎn)能需要數(shù)年時間，在2027年底或2028年前不太可能出現(xiàn)實質(zhì)性緩解。

　　市場研究機構(gòu)TrendForce數(shù)據(jù)顯示，自今年2月以來，部分存儲芯片價格已上漲超過一倍。動態(tài)隨機存取存儲器供應(yīng)商的平均庫存水平從2024年底的13至17周，降至今年7月的3至8周，10月進一步跌至2至4周。

　　目前DRAM是全球應(yīng)用最廣泛的易失性半導(dǎo)體存儲芯片。作為電子設(shè)備的核心運行內(nèi)存，DRAM能實現(xiàn)數(shù)據(jù)隨機高速存取，廣泛應(yīng)用于服務(wù)器、手機、PC等各類需要高速數(shù)據(jù)處理的場景。

　　而HBM是一種基于3D堆疊技術(shù)的高性能DRAM，是AI應(yīng)用的核心部件，隨著AI產(chǎn)業(yè)爆發(fā)，其需求也迅猛增長。

　　在此背景下，存儲芯片制造商美光科技日前宣布關(guān)閉零售渠道業(yè)務(wù)，而現(xiàn)有的庫存將銷售到本財年第二季度(2026年2月)末。該公司將專注于AI時代的先進存儲芯片競爭。

　　美光科技執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana表示：“AI數(shù)據(jù)中心驅(qū)動的增長導(dǎo)致對內(nèi)存和存儲的需求激增。我們做出了退出英睿達消費業(yè)務(wù)的艱難決定，以便為增長更快的領(lǐng)域的大型戰(zhàn)略客戶改善供應(yīng)和支持�！�

　　影響多大？

　　有分析指出，全球AI基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)熱潮正在造成存儲芯片等關(guān)鍵投入品短缺。少數(shù)幾家公司承諾在未來幾年投入數(shù)千億美元建設(shè)大型數(shù)據(jù)中心，導(dǎo)致存儲供應(yīng)面臨全球性緊張。

　　其中，英偉達、AMD等巨頭生產(chǎn)的AI芯片需要消耗大量最先進的存儲芯片。例如，當前一代英偉達GB200芯片每個圖形處理器配備192GB內(nèi)存，谷歌最新AI芯片Ironwood TPU需要192GB高帶寬內(nèi)存，AMD當前AI芯片MI350則配備288GB高帶寬內(nèi)存。

　　相比之下，手機和電腦使用的存儲規(guī)格較低、數(shù)量也少得多——許多筆記本電腦僅配備16GB內(nèi)存。這種需求差異促使美光科技等巨頭將有限產(chǎn)能向利潤更高的AI數(shù)據(jù)中心市場傾斜。

　　美光科技退出將對消費級存儲市場產(chǎn)生顯著影響。據(jù)調(diào)研機構(gòu)TrendForce的最新數(shù)據(jù)，美光科技在用于固態(tài)硬盤的NAND閃存領(lǐng)域占據(jù)13%的市場份額。在DRAM市場，美光科技作為第三大供應(yīng)商，其退出使PC組裝商失去了信賴的英睿達品牌選擇。

　　據(jù)報道，三星、SK海力士也在優(yōu)先考慮盈利能力，而非進行風險較高的產(chǎn)能擴張。在全球存儲器供應(yīng)鏈持續(xù)緊張、從智能手機閃存芯片到AI數(shù)據(jù)中心使用的先進高帶寬存儲器都面臨供應(yīng)緊張的背景下，美光科技的退出可能進一步加劇消費市場的供應(yīng)壓力。

　　這一轉(zhuǎn)型恰逢傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心和PC的更新周期，以及智能手機銷量超預(yù)期增長，而這些產(chǎn)品依賴傳統(tǒng)芯片。

　　 TrendForce集邦咨詢資深研究副總經(jīng)理吳雅婷表示，鑒于買方資金實力雄厚，傾向于維持更高庫存水平，實際采購量將顯著超出2026年的66%、2027年的70%預(yù)測值，導(dǎo)致PC、智能手機等消費終端可獲得的DRAM分配量進一步收縮。

　　 Counterpoint Research預(yù)計，先進和傳統(tǒng)存儲芯片價格將在2026年初可能再漲20%。Realme印度首席營銷官Francis Wong表示，存儲成本的急劇上漲“自智能手機出現(xiàn)以來前所未有”，可能迫使公司在2026年6月前將手機價格提高20%至30%。

　　據(jù)CNBC報道，貝恩咨詢分析師漢伯里預(yù)測：“從時間上看，(手機廠商受到的)影響可能很快顯現(xiàn)，因為零部件成本在上漲，且明年漲幅可能擴大�！�